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抗干扰介质损耗仪、变频介损测试仪

更新时间:2024-11-03

简要描述:

抗干扰介质损耗仪、变频介损测试仪介质损耗(tgδ): 1%±0.07%(加载电流20μA~500mA)正接
介质损耗(tgδ): 2%±0.09%(加载电流 5μA~20μA)反接

抗干扰介质损耗仪、变频介损测试仪

SHJS-20B变频抗干扰介质损耗测试仪淘汰了QSI高压电桥,具有操作简单、中文显示、打印,使用方便、无需换算、自带高压,抗干扰能力强 等优点。体积小、重量轻,是我厂的第三代智能化介质损耗测试仪。 
技术指标
1.环境温度:0~40℃(液晶屏应避免长时日照)
2.抗干扰介质损耗仪、变频介损测试仪相对湿度:30%~70%
3.供电电源:电压:220V±10%,频率:50±1Hz
4.抗干扰介质损耗仪、变频介损测试仪外形尺寸:长×宽×高=490mm×300mm×390mm
5.重量:约18Kg
6.输出功率:1KVA
7.显示分辨率:4位
8.测量范围:
介质损耗(tgδ):0-50% 
电容容量(Cx)和加载电压:
精准内部资料

2.5KV档:≤ 300nF( 300000pF)
3KV档:≤200nF( 200000pF)
5KV档:≤ 76nF( 76000pF)
7.5KV档:≤ 34nF( 34000pF)
10KV档:≤ 20nF( 20000pF)
9.基本测量误差:
介质损耗(tgδ): 1%±0.07%(加载电流20μA~500mA)正接
介质损耗(tgδ): 2%±0.09%(加载电流 5μA~20μA)反接
电容容量 ( Cx):1.5%±1.5pF

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